SSD con tecnología Samsung V-Nand. Consumo de energía (en espera): Máx. 30 mW El consumo de energía real puede variar según el hardware y la configuración del sistema > Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ℃
El factor de forma de 2,5 pulgadas es ideal para portátiles fijos. Soporte de cifrado: cifrado AES de 256 bits (clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada)
Interfaz SATA de 6 Gb/s y compatible con versiones anteriores de SATA de 3 Gbps y SATA de 1,5 Gbps
Velocidad de lectura secuencial de hasta 3500 MB/s y velocidad de escritura secuencial de hasta 3300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB, qd32) y hasta 600000 IOPS, escritura aleatoria (4KB qd32) hasta 550000 IOPS
Lectura aleatoria (4 KB, QD1): hasta 19 000 IOPS: el rendimiento puede variar según el hardware y la configuración del sistema
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Te presentamos el 970 EVO Plus de Samsung, un disco SSD con la última tecnología Samsung. El 970 EVO Plus es más rápido que su antecesor, el 970 EVO, alcanzando velocidades de escritura y lectura de hasta 3500MB/s.
Diseño flexible.
Lo último en SSD NVMe. El modelo 970 EVO Plus cuenta con una capacidad de hasta 2 TB en un formato compacto M.2. (2280), ofreciéndote un increíble almacenamiento en muy poco espacio para que puedes utilizar otros componentes. Toda la capacidad que necesitas para hacer más y llegar más lejos.
Excepcionalmente resistente.
Un nuevo estándar en rendimiento y durabilidad. Consigue hasta 1.200 TBW con una garantía limitada de 5 años, consiguiendo así un rendimiento un 50% superior al modelo anterior, y además con la última tecnología V-NAND.
Fiabilidad sin precedentes.
Consigue un nivel de fiabilidad sin precedentes. La avanzada controladora con revestimiento de níquel, junto con su disipador, consiguen una mejor disipación del calor. Además, la tecnología Dynamic Thermal Guard controla de forma automática la temperatura de la unidad, minimizando así los descensos en el rendimiento ocasionados por el sobrecalentamiento.
Especificaciones:
-Factor de forma de disco SSD: M.2
-SDD, capacidad: 500 GB
-Interfaz: PCI Express 3.0
-Tipo de memoria: V-NAND MLC
-NVMe: Si
-Componente para: PC
-Encriptación de hardware: Si
-Velocidad de lectura: Hasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en función del hardware del sistema y la configuración
-Velocidad de escritura: Hasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en función del hardware del sistema y la configuración
-Versión NVMe: 1.3
-Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
-Lectura aleatoria (4KB): Hasta 480,000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware del sistema y la configuración
-Escritura aleatoria (4KB): Hasta 550,000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware del sistema y la configuración
-Lectura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 19,000 IOPS *El rendimiento puede variar en función del hardware del sistema y la configuración
-Escritura aleatoria (4KB, QD1): Hasta 60,000 IOPS * El rendimiento puede variar en función del hardware del sistema y la configuración
-Tipo de controlador: Samsung Phoenix
-Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
-Función DevSleep: Si
-Soporte S.M.A.R.T.: Si
-Soporte TRIM: Si
-Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Control de energía:
-Voltaje de operación: 3,3 V
-Consumo de energía (max): 9 W
-Consumo de energía (promedio): 5,8 W
-Consumo de energía (espera): 0,003 W
Condiciones ambientales:
-Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Peso y dimensiones:
-Ancho: 80,2 mm
-Profundidad: 2,38 mm
-Altura: 22,1 mm
-Peso: 8 g
