SGH80N60UFD Transistor IGBT con Diodo
SGH80N60UFD Transistor 600V 80A 195W IGBT TO-3P con referencia de producto 20892-DI
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Transistores IGBT
- Capsula TO-3P-3
- Voltaje colector-emisor VCEO máx. 600 V
- Voltaje de saturación colector-emisor 2.1 V
- Voltaje puerta-emisor máximo 20 V
- Corriente continua del colector a 25º C 80 A
- Disipación de potencia 195 W
- Corriente continua del colector Ic Máx 80 A
- Marca ON Semiconductor / Fairchild
SKU | 20892-DI |
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Marca | ON Semiconductor |
MPN Código Fabricante | SGH80N60UFD |
Plazo de entrega | Entrega en 24 / 48 Horas laborables |
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