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Silicon Power SP004GBSFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

SKU
IN-ACT-PAMSLPSOO0014
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Silicon Power SP004GBSFU266X02, 4 GB, 1 x 4 GB, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM

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  • Portátil 4 GB DDR4 2666 MHz
  • 260-pin SO-DIMM 1 x 4 GB
  • Latencia CAS: 19
  • 1.2 V

Características

Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
19
Memoria interna*
4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)*
1 x 4 GB
Tipo de memoria interna*
DDR4
Velocidad de memoria del reloj*
2666 MHz
Componente para*
Portátil
Forma de factor de memoria*
260-pin SO-DIMM

Características

ECC*
No
Voltaje de memoria
1.2 V
Retroiluminación
No
Certificación
CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
Más Información
SKU IN-ACT-PAMSLPSOO0014
Marca Silicon Power
Código EAN 4713436143932
MPN Código Fabricante SP004GBSFU266X02
Plazo de entrega Entrega en 48 / 72 Horas laborables
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