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PNY MN8GSD42666 módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 2666 MHz

SKU
IN-ACT-PAMPNYDR40006
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PNY MN8GSD42666, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 2666 MHz

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  • Portátil 8 GB DDR4 2666 MHz
  • 1 x 8 GB
  • Latencia CAS: 19

Características

Latencia CAS
19
Memoria interna*
8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)*
1 x 8 GB
Tipo de memoria interna*
DDR4
Velocidad de memoria del reloj*
2666 MHz

Características

Componente para*
Portátil

Datos logísticos

Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
Más Información
SKU IN-ACT-PAMPNYDR40006
Marca Pny technologies
Código EAN 0751492632759
MPN Código Fabricante MN8GSD42666
Plazo de entrega Entrega en 24 / 48 Horas laborables
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