Samsung 860 QVO 2.5" 1 TB Serial ATA III V-NAND MLC
SKU
IN-DM-HDI251TBSAMMZ-76Q1T0BW
Special Price
142,82 €
178,52 €
Vista general
Samsung 860 QVO, 1 TB, 2.5", 550 MB/s, 6 Gbit/s
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- 1 TB 2.5" Serial ATA III
- Velocidad de lectura: 550 MB/s 96000 IOPS
- Velocidad de escritura: 520 MB/s 89000 IOPS
- V-NAND MLC
- 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM ECC
- Componente para: Portátil
Características
Tipo de flash NAND
MLC (Multi Level Cell)
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Factor de forma de disco SSD*
2.5"
Tipo de memoria*
V-NAND MLC
Velocidad de transferencia de datos
6 Gbit/s
Velocidad de lectura
550 MB/s
Velocidad de escritura
520 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
96000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
89000 IOPS
Tipo de controlador
Samsung MJX
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Recolección activa de elementos no utilizados
Si
Control de energía
Consumo de energía (max)
4 W
Consumo de energía (promedio)
2,2 W
Consumo de energía (espera)
0,03 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
5 - 95%
Golpes en funcionamiento
1500 G
Datos logísticos
Código de Sistema de Armomización (SA)
84717070
Más Información
| SKU |
IN-DM-HDI251TBSAMMZ-76Q1T0BW |
| Marca |
Samsung |
| Código EAN |
8801643443757 |
| MPN Código Fabricante |
MZ-76Q1T0BW |
| Plazo de entrega |
Fuera de existencia |
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